制造商:IXYS产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:2.9 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:5.5 VVgs - 栅极-源极电压:30 VQg-栅极电荷:9.8 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:70 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:PolarHV封装:Tube高度:16 mm 长度:10.66 mm 系列:IXTP3N60 晶体管类型:1 N-Channel 类型:PolarHV Power MOSFET 宽度:4.83 mm 商标:IXYS 正向跨导 - 值:2.2 S CNHTS:8541290000 下降时间:22 ns HTS Code:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:MOSFET 上升时间:25 ns 工厂包装数量:50 子类别:MOSFETs TARIC:8541290000 典型关闭延迟时间:58 ns 典型接通延迟时间:25 ns 单位重量:2.300 g

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